Instructions

3
5
Schaltung 10:
g
B
-Messun
g
beim NPN-Transistor
g
Au
f
bauhin
w
eise
P
l
atzieren Sie
d
en Transistor wie in A
bb
. 2.1
0
gezeigt. Darau
f
hin werden alle Widerstände eingesteckt.
S
chlie
ß
lich kommen die vier Drahtbrücken an die Reihe. Dann wird das Drehspulmessgerät angeschlossen.
Ü
berprüfen Sie die Bestückung des Steckboards erneut, und schließen Sie erst dann die Batterie an
.
Benötigte Bautei
l
e
1 x Transistor 2N3904
,
1 x Widerstand 1 MOhm
,
1 x Widerstand 220 Ohm,
1 x Widerstand 100 Ohm
,
1 x Drehspulmessgerät
,
1 x Steckboard
,
1 x B
atte
ri
e
9
V mi
t
Anschluß-Clip
Abb
. 2.1
0
:
B
-Messun
g
be
im NPN-Tr
a
n
s
i
stor
E
xper
i
men
t
Ist alles korrekt verdrahtet, wird das Drehspulmessgerät einen krä
f
tigen Ausschlag zeigen. Der Ausschlag
zeigt direkt den Stromverstärkungs
f
aktor B des Transistors an. Vollausschlag bedeutet B=500. In der vorlie-
genden Form kann die Schaltung dazu verwendet werden, den Stromverstärkungs
f
aktor von beliebigen NPN
Silizium-Bipolar-Transistoren kleiner Leistung zu bestimmen. Die einfache Ausführung des Drehspulmessge
-
räts setzt der Genauigkeit Grenzen
.
Den Schalt
p
lan für dieses Ex
p
eriment fi nden Si
e
in Ka
p
. 3, Abb. 3.10.
10113-4 Conrad Experimentierbox_NEU_04.indd 3510113-4 Conrad Experimentierbox_NEU_04.indd 35 25.01.2016 09:12:5725.01.2016 09:12:57