Datasheet

MESSBARE KOMPONENTEN
Dioden
Durchlassspannungsabfall < 5 V
Widerstände
0,01 Ω - 50 MΩ
Sinuswelle
Rechteckwelle
Pulswelle
Dreieckwelle
Sägezahnwelle
DC
Batterien
0,01 - 4,5 V
Feldeekttransistoren
JFET
IGBT
MOSFET
Zener Dioden
1-2-3 Testbereich: 0,01 - 4,5 V
K-A-A Testbereich: 0,01 - 24 V
Kondensatoren
25 pF - 100 mF
Spulen
10 uH - 1000 uH
Eingangsspannung
0 - 16 V
Silizium-Gleichrichter &
Thyristortrioden
Einschaltspannung < 5 V
Gate-Triggerstrom < 6 mA
Durchlassspannungsabfall,
Übergangs-kapazität,
Sperrstrom
Widerstand
1 - 100 kHz, 0 - 3,3 V, 50%
1 - 100 kHz, 3,3 V, 50%
1 - 100 kHz, 3,3 V, 0 - 100%
1 - 100 kHz, 0 - 3,3 V, 50%
1 - 100 kHz, 0 - 3,3 V, 0 - 100%
0 - 3,3 V
Spannungswert, Positive
und negative Polarität
JFET: Gate-Kapazität (Cg),
Drain-Strom (Id at Vgs),
Vorwärtsspannungsabfall der
Schutzdiode (Uf)
IGBT: Drain-Strom (Id at Vgs),
Vorwärtsspannungsabfall der
Schutzdiode (Uf)
MOSFET: Einschaltspannung
(Vt), Gate-Kapazität (Cg),
Drain-Source Widerstand (Rds),
Vorwärtsspannungsabfall der
Schutzdiode (Uf)
1-2-3: Durchlassspannungs-
abfall, Durchlassspannung
in Sperrrichtung
K-A-A: Durchlassspannung in
Sperrrichtung
Kapazität, Verlustfaktor (Vloss)
Induktivitätswert,
Gleichstromwiderstand
Spannungswert
Gate-Spannung
Trioden
hFE > 10, hFE < 600
Verstärkungsfaktor (hFE),
Basis-Emitter-Spannung (Ube),
Kollektor-Emitter Sperrstrom
(Iceo, Ices),
Durchlassspannungsabfall
der Schutzdiode (Uf)
SIGNAL-GENERATOR