Datasheet

5
2000-01-27
SPP11N60S5
SPB11N60S5
Typ. output characteristic
I
D
= f ( V
DS
)
Parameter: V
GS
, T
j
= 25 °C
0 5 10 15
V
25
V
DS
0
5
10
15
20
25
A
35
I
D
6V
0 5 10 15
V
25
V
DS
0
5
10
15
20
25
A
35
I
D
7V
0 5 10 15
V
25
V
DS
0
5
10
15
20
25
A
35
I
D
8V
0 5 10 15
V
25
V
DS
0
5
10
15
20
25
A
35
I
D
9V
0 5 10 15
V
25
V
DS
0
5
10
15
20
25
A
35
I
D
10V
0 5 10 15
V
25
V
DS
0
5
10
15
20
25
A
35
I
D
12V
0 5 10 15
V
25
V
DS
0
5
10
15
20
25
A
35
I
D
20V
0 5 10 15
V
25
V
DS
0
5
10
15
20
25
A
35
I
D
Drain-source on-resistance
R
DS(on)
= f ( T
j
)
parameter : I
D
= 7 A, V
GS
= 10 V
-60 -20 20 60 100
°C
180
T
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
W
2.1
SPP11N60S5
R
DS(on)
typ
98%
Typ. capacitances
C = f ( V
DS
)
parameter: V
GS
=0 V, f =1 MHz
0 10 20 30 40 50 60 70 80
V
100
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
Typ. transfer characteristics
I
D
= f ( V
GS
)
V
DS
³ 2 x I
D
x R
DS(on)max
0 4 8 12
V
GS
20
V
0
4
8
12
16
20
24
A
32
I
D