Datasheet

Technische Information / technical information
FS50R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
Üb
er
t
ragungsc
h
ara
kt
er
i
s
tik
(t
yp
i
sc
h)
transfer characteristic (typical)
I
C
= f(V
GE
)
V
CE
= 20V
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)
I
F
= f(V
F
)
forward caracteristic of inverse diode (typical)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
456789101112
V
GE
[V]
I
C
[A]
Tvj=25°C
Tvj=125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
V
F
[V]
I
F
[A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
5 (8)
DB_FS50R12KE3_ 3.0.xls
2002-09-03