Datasheet

Technische Information / technical information
FS50R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
min. typ. max.
- - 0,45 K/W
- - 0,75 K/W
mm
clearence distance
Luftstrecke
mm
creepage distance
Kriechstrecke
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
Innerer Wärmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to case; DC
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
R
thJC
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Nm
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
T
vj op
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
125 °C
°C
T
stg
-40 - 125
Lagertemperatur
storage temperature
--
-40 -
°C
20 mW
150
-
B-Wert
R
2
= R
1
exp[B(1/T
2
- 1/T
1
)] B
25/50
K/W- 0,02
- 3375 - K
- -
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Nennwiderstand
T
c
= 25°C
rated resistance
deviation of R
100
B-value
%
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1W/m*K / λ
grease
= 1W/m*K
operation temperature
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
R
thCK
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
Übergangs Wärmewiderstand
T
vj max
Verlustleistung
T
c
= 100°C, R
100
= 493Ω
∆R/R
T
c
= 25°C P
25
power dissipation
-5
Abweichung von R
100
R
25
-
kΩ
Thermische Eigenschaften / thermal properties
-5 - 5
comperative tracking index
Gewicht
Schraube / screw M5
Al
2
O
3
10,0
7,5
Innere Isolation
case, see appendix
Gehäuse, siehe Anlage
internal insulation
CTI
225
M 3 - 6
g
weight
G 180
3 (8)
DB_FS50R12KE3_ 3.0.xls
2002-09-03