Datasheet

Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 85 N 16 (ISOPACK) NB6
Elektrische Ei
g
enschaften / Electrical
p
ro
p
ertie
s
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40°C...T
vj max
V
RRM
1600 V
repetitive peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
T
vj
= + 25°C...T
vj max
V
RSM
1700 V
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
I
FRMSM
60 A
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
T
C
= 100°C
I
d
85 A
output current
T
C
= 84°C
104 A
T
A
= 45°C, KM 11
58 A
T
A
= 45°C, KM 33
75 A
T
A
= 35°C, KM 14 (V
L
= 45l/s)
104 A
T
A
= 35°C, KM 33 (V
L
= 90l/s)
104 A
Stoßstrom-Grenzwert
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
I
FSM
650 A
surge forward current
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
550 A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
I²t 2100 A²s
I²t-value
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
1500 A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 100A
v
F
max. 1,44 V
forward voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,75 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
5,5
m
forward slope resistance
Sperrstrom
T
vj
= T
vj max,
v
R =
V
RRM
i
R
max. 5 mA
reverse current
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50Hz, t = 1min
V
ISOL
3,0 kV
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
3,6 kV
Thermische Ei
g
enschaften / Thermal
p
ro
p
ertie
s
Innerer Wärmewiderstand
pro Modul / per module, Θ = 120°rect
R
thJC
max. 0,241 °C/W
thermal resistance, junction to case
pro Element / per chip, Θ = 120°rect
max. 1,450 °C/W
pro Modul / per module, DC
max. 0,183 °C/W
pro Element / per chip, DC
max. 1,100 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
pro Modul / per module
R
thCK
max. 0,033 °C/W
thermal resistance, case to heatsink
pro Element / per chip
max. 0,200 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
T
vj max
150 °C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
- 40...+150 °C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
- 40...+150 °C
storage temperature
BIP PPE4 rev. 2 24. Okt 05 A07 /05 Seite/page 1(6)

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