Datasheet

preliminary preliminary
iC-LFL1402
256x1-ZEILENSENSOR
Ausgabe A3, Seite 4/8
KENNDATEN
Betriebsbedingungen: VCC = VDD = 5 V ±10 %, RSET = GND, Tj = -25...85 °C, wenn nicht anders angegeben
Kenn- Formel- Benennung Bedingungen Tj Bild Einh.
Nr. zeichen °C Min. Typ Max.
Allgemeines
001 VDD Digitale Versorgungsspannung 4.5 5.5 V
002 VCC Analoge Versorgungsspannung 4.5 5.5 V
003
I(VDD) Versorgungsstrom in VDD
f(CLK) = 1 MHz 0.39 mA
f(CLK) = 5 MHz 1.85 mA
004 I(VCC) Versorgungsstrom in VCC 11.5 mA
005 Vc()hi Clamp-Spannung hi an SI, CLK,
DIS, TP, RSET
Vc()hi = V() – V(VCC); I() = 1 mA 0.3 1.8 V
006 Vc()lo Clamp-Spannung lo an SI, CLK,
DIS, TP, RSET
Vc()lo = V() – V(AGND);
I() = -1 mA
-1.5 0.3 V
007 Vc()hi Clamp-Spannung hi an AO Vc()hi = V(AO) – V(VCC);
I(AO) = 1mA
0.3 1.5 V
008 Vc()lo Clamp-Spannung lo an AO, VCC,
VDD, GND
Vc()lo = V() – V(AGND);
I() = -1 mA
-1.5 -0.3 V
Fotodioden Zeile
201 A() Aktive Fläche 200 µm x 56.40µm per Pixel 0.01128 mm²
202 S(λ )max Spektrale Empfindlichkeit λ = 680 nm 1 0.5 A/W
203 λ
ar
Empfangsbereich S(λ
ar
) = 0.25 x S(λ )max 1 400 980 nm
Analog-Ausgang AO
301 Vs()lo Sättigungsspannung lo I() = 1 mA 0.5 V
302 Vs()hi Sättigungsspannung hi Vs()hi = VCC – V(), I() = -1 mA 1 V
303 K Empfindlichkeit λ = 680 nm,
Gehäuse OBGA™ LFL1C
2.88 V/pWs
304 V0() Offset-Spannung Integrationszeit 1 ms,
keine Beleuchtung
400 800 mV
305 ∆V0() Änderung der Offset-Spannung
im Integrations-Modus
∆V0() = V(AO)t1 – V(AO)t2,
∆t = t2 – t1 = 1 ms
-250 50 mV
306 ∆V() Signaländerung im Hold-Modus ∆V0() = V(AO)t1 – V(AO)t2,
∆t = t2 – t1 = 1 ms
-150 150 mV
307 tp(CLK-
AO)
Einschwingzeit Cl(AO) = 10pF, CLK lo → hi bis
V(AO) = 0.98 × V(VCC)
200 ns
Power-On-Reset
801 VCCon Power-On-Freigabe durch VCC 4.4 V
802 VCCoff Power-Down-Reset durch VCC 1 V
803 VCChys Hysterese VCChys = VCCon – VCCoff 0.4 1 2 V
Bias-Stromeinstellung RSET
901 Ibias() Zulässiger externer Bias-Strom 20 100 µA
902 Vref Vergleichsspannung I(RSET) = Ibias 2.5 3 3.5 V
Eingangs-Interface SI, CLK, DIS
B01 Vt()hi Schwellspannung hi 1.4 1.8 V
B02 Vt()lo Schwellspannung lo 0.9 1.2 V
B03 Vt()hys Hysterese Vt()hys = Vt()hi – Vt()lo 300 800 mV
B04 I() Pull-Down-Strom 10 30 50 µA
B05 fclk Zulässige Taktfrequenz 5 MHz