User Manual

16 GOSSEN-METRAWATT GMBH
4.8 Essais de diodes et de transistors
La gamme de résistances Ω x 1000 peut servir à des essais de fonction-
nement de diodes et de transistors. Une mesure de résistance (voir chapi-
tre 4.5) permet de déceler aisément un court-circuit ou une coupure d'une
diode ou du circuit diode entre base, collecteur et émetteur d'un transis-
tor. La polarité d'une diode et l'emplacement de la base d'un transistor
peuvent être déterminés aisément par cet essai.
Attention!
!
Le pole positif se trouve à la douille „⊥“.
Le pole négatif se trouve à la douille „Ω“.
Le composant ne peut être détruit par cet essai, car la tension est de
1,75 V et le courant de 100 µA au maximum.
5 Caractéristiques techniques
Gammes de mesure
Résistance d’entrée en : 20,0 kΩ/V
en : 4,0 kΩ/V
Tension Output
1
)
Résistance interne env.
0,15 V — 3,15 kΩ —
0,50 V — 10,00 kΩ —
1,50 V –15 ... + 6 dB 31,50 kΩ 6,50 kΩ
5,00 V – 5 ... + 16 dB 100,00 kΩ 20,00 kΩ
15,00 V + 5 ... + 26 dB 315,00 kΩ 65,00 kΩ
50,00 V +15 ... + 36 dB 1,00 MΩ 200,00 kΩ
150,00 V +25 ... + 46 dB 3,15 MΩ 650,00 kΩ
500,00 V +35 ... + 56 dB 10,00 MΩ 2,00 MΩ
1000,00 V — 20,00 MΩ —