Datasheet
ABMESSUNGEN
Abmessungen in mm, (Zoll)
(*) Siehe die Installationshinweise
* Wärmeleitpaste
auftragen
Für den Zugriff auf die Befestigungs-
bohrung und die Klemmen die
Schutzverkleidung anheben
Nicht wiederholter Überstrom t=20ms:200Ap
Leckstrom bei Nennspannung und Nennfrequenz:
≤ 8mArms
I
2
t zum schmelzen t=1-10ms: ≤ 200A
2
s
dl/dt Kritisches: ≥ 100A/µs
Spannungsabfall bei Nennstrom: ≤ 1,45Vrms
Kritisches dV/dt bei deaktiviertem Ausgang:
≥1000V/µs
I
th
= 15A
GQ - 25 -
Nennstrom: AC51: 25A; AC53A (*): 5Arms
Mindest-Betriebsstrom: 0,3Arms
Wiederholter Überstrom t=1s: ≤ 60Arms
Nicht wiederholter Überstrom
t=20ms: 300Ap
Leckstrom bei Nennspannung und Nennfrequenz:
≤ 8mArms
I
2
t zum schmelzen t=1-10ms: ≤ 450A
2
s
dl/dt Kritisches: ≥ 100A/µs
Spannungsabfall bei Nennstrom: ≤ 1,45Vrms
Kritisches dV/dt bei deaktiviertem Ausgang:
≥ 1000V/µs
I
th
= 25A
GQ - 50 -
Nennstrom: AC51: 50A; AC53A (*): 15Arms
Mindest-Betriebsstrom: 0,3Arms
Wiederholter Überstrom t=1 s: ≤ 125Arms
Nicht wiederholter Überstrom
t=20ms: 600Ap
Leckstrom bei Nennspannung und
Nennfrequenz: ≤ 8mArms
I
2
t zum schmelzen t=1-10ms: ≤ 1800A
2
s
dl/dt Kritisches: ≥ 100A/µs
Spannungsabfall bei Nennstrom: ≤ 1,35Vrms
Kritisches dV/dt bei deaktiviertem Ausgang:
≥ 1000V/µs
I
th
= 50A
GQ - 50B -
(erweiterter I2T Wert gegenüber GQ-50)
Nennstrom: AC51: 50Arms; AC53A(*): 18Arms
Mindest-Betriebsstrom: 0,4Arms
Wiederholter Überstrom t=1 s: ≤ 140Arms
Nicht wiederholter Überstrom
t=20ms: 1150Ap
Leckstrom bei Nennspannung und
Nennfrequenz: ≤ 10mArms
I
2
t zum schmelzen t=1-10ms: ≤ 6600A
2
s
dl/dt Kritisches: ≥ 100A/µs
Spannungsabfall bei Nennstrom: ≤ 1,2Vrms
Kritisches dV/dt bei deaktiviertem Ausgang:
≥ 1000V/µs
I
th
= 50A
GQ - 90 -
Nennstrom: AC51: 90A; AC53A (*): 20Arms
Mindest-Betriebsstrom: 0,5Arms
Wiederholter Überstrom t=1 s: ≤ 150Arms
Nicht wiederholter Überstrom
t=20ms: 1500 Ap
Leckstrom bei Nennspannung und Nennfrequenz:
≤ 10mArms
I
2
t zum schmelzen t=1-10ms: ≤ 11200A
2
s
dl/dt Kritisches ≥ 100A/µs
Spannungsabfall bei Nennstrom: ≤ 1,35Vrms
Kritisches dV/dt bei deaktiviertem Ausgang:
≥ 1000V/µs
I
th
= 90A
(*) Nur version: GQ-XX-24-X-1
GQ-XX-48-X-1
Isolation
Nominale Isolationsspannung Eingang /
Ausgang: ≥ 4000 VAC
Nominale Isolationsspannung Ausgang /
Gehäuse: ≥ 2500 VAC
Isolationswiderstand Eingang /
Ausgang: ≥ 10
10
Ω
Isolationswiderstand Ausgang /
Gehäuse: ≥ 10
10
Ω
Kapazität der Isolierung Eingang / Ausgang:
≤ 8pF
Kapazität der Isolierung Ausgang / Gehäuse: ≤
100pF
Umgebungsbedingungen
• Umgebungstemperatur: -25...+80°C
• Lagertemperatur: -55...+100°C
• Max. relative Luftfeuchte: 50% a 40°C
• Max. Höhenlage: 2000 slm
• Verschmutzungsgrad: 3
Thermische Daten
GQ - XX -
Sperrschichttemp: ≤ 125°C
Rth Sperrschicht/Umgebung: ≤ 12 K/W
GQ - 15 - / GQ - 25 -
Rth Sperrschicht/Gehäuse: ≤ 1,25 K/W
GQ - 50 -
Rth Sperrschicht/Gehäuse: ≤ 0,65 K/W
GQ - 50B -
Rth Sperrschicht/Gehäuse: ≤ 0,33 K/W
GQ - 90 -
Rth Sperrschicht/Gehäuse: ≤ 0,3 K/W
Berechnung der vom Halbleiterrelais aufge-
nommenen Verlustleistung
Einphasiges Halbleiterrelais
Pd GQ .. 15/25 = 1,45 . Irms [W]
Pd GQ .. 50/90 = 1,35 . Irms [W]
Pd GQ .. 50B = 1,2 . Irms [W]
IRMS = Effektivstrom in Ampere
*
*
30.5 (1.2) Bauhöhe mit Schraubklemme MORS4