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第 2 章技術解説

■ 他の強誘電体材料

FRAM用の強誘電体薄膜キャパシタ材料としては , これまで PZT の研究が最も多く行われてきまし

た。これは , PZT が大きな残留分極値（2Pr）を有している上に , 比較的容易に強誘電性が得られるこ

とや FRAM として用いるのに適当な抗電界値（Ec）を持っているためです。これに対して , Bi 層状

化合物である SBT: SrBi

2Ta2O9 は , Ec が小さく , 薄膜化による動作電圧の低減が可能な上に , 10

回の

分極反転後も疲労がほとんど見られないという特長があります。

SBT の結晶構造を図 2.3 に示します。

図 2.3　SBT (SrBi2Ta 2O9) 結晶構造

:Sr :Bi :Ta :O