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4.3 Elektronische Einbahnstraßen 37
Abb. 4.6: Untersuchung der Stromverstärkung des BC557
4.3 Elektronische Einbahnstraßen
Der innere Aufbau eines Transistors ist durch drei Schichten aus unterschiedlich
dotiertem Silizium gekennzeichnet. An den Grenzflächen bilden sich Sperr-
schichten wie in einer Diode. Auch die Si-Diode oder die Leuchtdiode enthält
eine ähnliche Sperrschicht, die den Strom nur in einer Richtung leitet. In einem
Transistor befinden sich praktisch zwei Dioden, die man auch als solche verwen-
den kann. Das ermöglicht besondere Schaltungsvarianten und auch einen einfa-
chen Transistortest. Man kann z. B. bei einem unbekannten Transistor leicht
feststellen, ob es sich um einen NPN- oder einen PNP-Typ handelt.