Datasheet

Technische
Erläuterungen
R
th
= Wärmewiderstand allgemein in K/W
R
thG
= Innerer Wärmewiderstand des Halb-
leiters (Herstellerangabe)
R
thM
= Wärmewiderstand der Montageflä-
che. Für Gehäuse TO 3 können die
nachstehend aufgeführten Richtwerte
eingesetzt werden:
1. Trocken ohne Isolator
0,05 - 0,20 K/W
2. Mit Wärmeleitpaste WLP/ohne Iso-
lator 0,005 - 0,10 K/W
3. Aluminiumoxydscheibe mit WLP
0,20 - 0,60 K/W
4. Glimmerscheibe 0,05 mm stark
mit WLP 0,40 - 0,90 K/W
R
thK
= Wärmewiderstand des Kühlkörpers.
Der Wert ist direkt aus den Diagram-
men ablesbar
R
thGM
= Summe aus R
thG
und R
thM
. Bei Parallel-
schaltungen mehrerer Transistoren be-
rechnet sich der Wert R
thGM
als Paral-
lelschaltung der einzelnen Werte von
R
thG
+ R
thM
nach der folgenden Formel:
Gleichung 3:
Der hierbei gefundene Wert ist dann in die
Gleichung 1 einzusetzen.
K = Kelvin. Nach den neuen gesetzlichen
Regelungen der physikalischen Ein-
heiten werden °C Temperaturdiffe-
renzen in Kelvin angegeben. (1°C=
1K)
K/W= Kelvin pro Watt, Einheit des Wär-
mewiderstandes
Technical
Introduction
R
th
= thermal resistance in K/W
R
thG
= internal thermal resistance of semicon-
ductor device (as indicated by
manufacturer)
R
thM
= thermal resistance of mounting surface.
For TO 3 cases the following approxi-
mate values apply:
1. dry, without insulatar
0,05 - 0,20 K/W
2. with thermal compound/without
insulator 0,005 - 0,10 K/W
3. Aluminium oxide wafer with ther-
mal compound
0,20 - 0,60 K/W
4. Mica wafer (0,05 mm thick) with
thermal compound
0,40 - 0,90 K/W
R
thK
= thermal resistance of heatsink, which
can be directly taken from the dia-
grams
R
thGM
= sum of R
thG
and R
thM
. For parallel con-
nections of several transistors the va-
lue R
thGM
can be determined by the
following equation:
Equation 3:
the result can be substituted into
Equation 1.
K =Kelvin, which is now the standard
measure of temperature differences,
measured in °C, therefore 1 °C = 1 K
K/W= Kelvin per watt, the unit of thermal
resistance.
Introduction
Technique
R
th
= résistance thermique en K/W.
R
thG
= résistance thermique jonction/boîtier
(donnée par le fabricant du semi-
conducteur).
R
thM
= résistance thermique de la surface de
montage. Pour un boîtier TO 3 utiliser
les valeurs suivantes:
1. sec, sans isolateur
0,05 - 0,20 K/W
2. avec pâte thermique, sans isolateur
0,005 - 0,10 K/W
3. avec entretoise en oxyde d’alumi-
nium et pâte thermique
0,20 - 0,60 K/W
4. avec mica (0,05 mm) et pâte ther-
mique 0,40 -0,90 K/W
R
thK
= résistance thermique du dissipateur
qui peut être utilisée avec les courbes
du catalogue.
R
thGM
= somme de R
thG
et R
thM
. Pour le montage
de plusieurs semi-conducteurs on peut
utiliser l’équation suivante:
Équation 3:
le résultat peut être reporté dans
l' équation 1.
K =Kelvin, qui est maintenant l’unité stan-
dard de différence de température,
mesurée en °C, c’est pourquoi
1°C =1 K.
K/W =Kelvin par watt, unité de résistance
thermique.
^
^
^
R
thGM ges.
1
=
R
thM 1
R
thM 2
R
thMn
R
thGn
R
thG 2
R
thG 1
+
1
+
+
...
1
+
+
1
A 5
A
B
C
D
E
F
G
H
I
K
L
M
N