Datasheet

SK1820D2 ... SK1845D2
SK1820D2 ... SK1845D2
Surface Mount Schottky Rectifiers – Single Diode
Schottky-Gleichrichter für die Oberflächenmontage – Einzeldiode
Version 2012-03-01
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current – Nennstrom 18 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
20...45 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse TO-263AB
D²PAK
Weight approx. – Gewicht ca. 1.6 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
On request taped on 13” reel
(add “R” to the part number)
Standard Lieferform in Stangen Green Molding
Auf Anfrage gegurtet auf 13” Rolle Halogen-Free
1
(ergänze „R“ zur Artikelnummer)
Typical Applications Typische Anwendungen
Bypass Diodes – best trade-off between V
F
and I
R
2
)
Free-Wheeling Diodes
High Frequent Output Rectification
Bypass-Dioden – optimales V
F
und I
R
2
)
Freilaufdioden
Hochfrequenz-Ausgangsgleichrichtung
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive / Surge peak reverse voltage
Periodische- / Spitzen-Sperrspannung
V
RRM
[V] / V
RSM
[V]
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V] T
j
= 125°C
Forward voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V] T
j
= 25°C
I
F
= 5 A I
F
= 5 A I
F
= 18 A
SK1820D2 20 typ. 0.33 < 0.50 < 0.58
SK1830D2 30 typ. 0.33 < 0.50 < 0.58
SK1840D2 40 typ. 0.33 < 0.50 < 0.58
SK1845D2 45 typ. 0.33 < 0.50 < 0.58
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz I
FRM
55 A
3
)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25°C I
FSM
280/320 A
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms T
A
= 25°C i
2
t 390 A
2
s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
T
j
T
j
-50...+150°C
≤ 200°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
-50...+175°C
1 From 4Q/2011 – Ab 4Q/2011
2 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
3 Max. temperature of the case T
C
= 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses T
C
= 100°C
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
0.4
4.5
0.2±
1.2
5.08
0.8
1.3
1
Type
Typ
32
4
1 2 3
4
K
10.25
±0.5