Datasheet

SBX2030 ... SBX2050
SBX2030 ... SBX2050
2
nd
Generation Bypass Diodes for Solar Modules – Schottky Barrier Rectifiers
2. Generation Bypass-Dioden für Solarmodule – Schottky-Barrier-Gleichrichter
Version 2011-07-11
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
20 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
30...50 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 8 x 7.5 [mm]
Weight approx.
Gewicht ca.
2.0 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
On request taped on 13” reel Green Molding
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Halogen-Free
1
Auf Anfrage gegurtet auf 13” Rolle
Features Vorteile
Up to 50V reverse voltage at low V
F
Lowest value R
thL
for lowest T
j
Best trade-off between V
F
and I
R
2
)
1000pcs/13” reel for longer reel change intervals
Bis zu 50V Sperrspannung bei niedrigem V
F
Niedrigster R
thL
Wert für niedrigstes T
j
Optimaler Kompromiss zwischen V
F
und I
R
2
)
1000 Stk. / 13” Rolle für längere Bestückungszyklen
Maximum ratings and characteristics Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive / Surge peak reverse voltage
Periodische- / Spitzen-Sperrspannung
V
RRM
[V] / V
RSM
[V]
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V] T
j
= 125°C
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V] T
j
= 25°C
I
F
= 5 A I
F
= 5 A I
F
= 20 A
SBX2030 30 typ. 0.30 < 0.45 < 0.59
SBX2040 40 typ. 0.30 < 0.45 < 0.59
SBX2050 50 typ. 0.32 < 0.47 < 0.61
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
T
A
= 50°C I
FAV
20 A
3
)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25°C I
FSM
290/330 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms T
A
= 25°C i
2
t 420 A
2
s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
T
j
T
j
-50...+150°C
≤ 200°C
2
)
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
-50...+175°C
1 From 1H/2012 – Ab 1H/2012
2 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Ø 1.6
±0.05
Ø 8
±0.1
7.5
±0.1
62.5
±0.5