Datasheet
SB12H30 ... SB12H40
SB12H30 ... SB12H40
High temperature schottky barrier diodes
Hochtemperatur-Schottky-Dioden
Version 2013-02-25
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
12 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
30...40 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 5.4 x 7.5 [mm]
Weight approx.
Gewicht ca.
1.0 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V]
1
)
I
F
= 5 A I
F
= 12 A
SB12H30 30 30 < 0.51 < 0.59
SB12H40 40 40 < 0.51 < 0.59
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
T
A
= 50°C I
FAV
12 A
2
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz I
FRM
55 A
2
)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25°C I
FSM
250 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms T
A
= 25°C i
2
t 312 A
2
s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
T
j
T
j
-50...+175°C
≤ 200°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
-50...+175°C
1 T
j
= 25°C
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø
±0.05
1.2
Ø
±0.1
5.4
62.5
±0.5
7.5
±0.1