Datasheet

P6SMBJ5.0 ... P6SMBJ170CA
Dimensions – Maße [mm]
1
2
3
TVS diodes having breakdown voltage V
BR
= 210 ... 550 V:
Please refer to datasheet P6SMB210A ... 550CA
TVS-Dioden mit Abbruchspannung V
BR
= 210 ... 550 V:
siehe Datenblatt P6SMB210A ... 550CA
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Mounted on PCB with 25 mm
2
copper pad per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Lötpad je Anschluss
2
Q
) Available in -Q. Ordering code e. g. P6SMBJ43A-Q –
A
) Available in -AQ. Ordering code e. g. P6SMBJ51CA-AQ
Q
) Erhältlich in -Q. Bestellnummer z. B. P6SMBJ43A-Q –
A
) Erhältlich in -AQ. Bestellnummer z. B. P6SMBJ51CA-AQ
3 Bidirectional types of V
WM
≤ 10V have double reverse current limit – Bidir. Typen mit V
WM
≤ 10V haben doppelte Sperrstromgrenze
4 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
P
PP
[°C]T
A
150100
50
0
I
PP
Peak pulse power/current vs. ambient temperature )
Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp. )
1
1
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
I
PP
P
PP
100
80
60
40
20
0
0 t 1 2 3 4[ms]
[%]
t
P
I /2
PPM
P /2
PPM
t = 10 µs
r
[pF]
[V]
C
j
V
BR
Junction capacitance vs. breakdown voltage (typ.)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Abbruchspg. (typ.)
unidir.
bidir.
V = 4 V
R
10
10
1
0.1
2
P
PP
0.1µs t 1µs 10µs 100µs 1ms 10ms
P
[kW]
Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)
Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)
Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical)
Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch)
10
-1
10
-3
10
-2
10
-1
1 10 10
2
10
3
Z
th
R
th
[%]
1
10
2
10
1