Datasheet

MUR860
MUR860
Superfast Efficient Rectifier Diodes
Superschnelle Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad
I
FAV
= 8 A
V
F1
< 1.4 V
T
jmax
= 175°C
V
RRM
= 600 V
I
FSM
= 90/100 A
t
rr1
< 50ns
Version 2016-01-22
TO-220AC
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Rectification of higher frequencies,
High efficient switching stages
Free-wheeling diodes
Commercial grade
1
)
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad
Freilaufdioden
Standardausführung
1
)
Features
Very low reverse recovery time
Low forward voltage drop
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Sehr niedrige Sperrverzugszeit
Niedrige Fluss-Spannung
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
)
Mechanische Daten
1
)
Packed in tubes 50 Verpackt in Stangen
Weight approx. 1.8 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
MUR860 600 600
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
T
C
= 150°C I
FAV
8 A
3
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
MUR860 f > 15 Hz I
FRM
18 A
3
)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
MUR860 T
A
= 25°C I
FSM
90 / 100 A
Rating for fusing
Grenzlastintegral, t < 10 ms
MUR860 T
A
= 25°C i
2
t 40 A
2
s
Characteristics Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
V
R
= V
RRM
T
j
= 25°C I
R
< 5 µA
MUR860 T
j
= 150°C I
R
< 500 µA
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung R
thA
< 75 K/W
3
)
Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse R
thC
< 2.0 K/W
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
j
= 25°C unless otherwise specified – T
j
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
4
31
Type
Typ
5.08
±0.1
0.8
±0.2
1.3
±0.1
10.1
±0.3
3.9
±0.3
2.8
±0.3
13.9
±0.3
14.9
±0.7
Ø
±0.2
3.8
1.2
±0.2
0.42
±0.1
4.5
±0.2
2.67
±0.2
8.7
±0.3
4
31