Datasheet

MPSA42
Characteristics (T
j
= 25°C) Kennwerte (T
j
= 25°C)
Min. Typ. Max.
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung
1
)
I
C
= 20 mA, I
B
= 2 mA V
BEsat
– – 0.9 V
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
V
CE
= 10 V, I
C
= 1 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 30 mA
h
FE
h
FE
h
FE
25
40
40
–
–
–
–
–
–
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
V
CE
= 20 V, I
C
= 10 mA, f = 100 MHz f
T
50 MHz – –
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
V
CB
= 20 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz MPSA42 C
CB0
– – 3 pF
Thermal resistance junction – ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
R
thA
< 200 K/W
2
)
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
MPSA92
1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1