Datasheet

MMBTA42 | MMBTA44
Characteristics Kennwerte
T
j
= 25°C MMBTA42 MMBTA44
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
1
)
I
C
= 1 mA I
B
= 0.1 mA
I
C
= 10 mA I
B
= 1 mA
I
C
= 20 mA I
B
= 2 mA
I
C
= 50 mA I
B
= 5 mA
V
CEsat
–
–
< 500 mV
–
< 400 mV
< 500 mV
–
< 750 mV
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung
1
)
I
C
= 20 mA I
B
= 2 mA
I
C
= 10 mA I
B
= 1 mA
V
BEsat
< 900 mV
–
–
< 750 mV
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
V
CE
= 10 V I
C
= 1 mA
I
C
= 10 mA
I
C
= 30 mA
I
C
= 50 mA
I
C
= 100 mA
h
FE
> 25
80 ... 200
> 40
–
–
> 40
50 ... 200
–
> 45
> 40
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
V
CE
= 20 V, I
C
= 10 mA, f = 100 MHz f
T
> 50 MHz –
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
V
CB
= 20 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz C
CBO
< 3 pF < 7 pF
Thermal resistance junction – ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
R
thA
< 420 K/W
1
)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
1 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1