Datasheet

MCL4148, MCL4448
MCL4148, MCL4448
Surface Mount Small Signal Diodes
Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2007-09-21
Dimensions - Maße [mm]
Power dissipation
Verlustleistung
500 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
100 V
Glass case Quadro-MicroMELF
Glasgehäuse Quadro-MicroMELF
(LS-31)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25°C) Grenzwerte (T
A
= 25°C)
MCL4148, MCL4448
Power dissipation − Verlustleistung P
tot
500 mW
1
)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) I
FAV
150 mA
1
)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom I
FRM
300 mA
1
)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
t
p
≤ 1 s
t
p
≤ 1 µs
I
FSM
I
FSM
500 mA
1
)
2 A
Reverse voltage – Sperrspannung V
R
75 V
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung V
RRM
100 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+175°C
-55…+175°C
Characteristics (T
j
= 25°C) Kennwerte (T
j
= 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
MCL4148 I
F
= 50 mA V
F
< 1.0 V
MCL4448 I
F
= 5 mA
I
F
= 100 mA
V
F
V
F
0.62...0.72 V
< 1 V
Leakage current – Sperrstrom
2
) V
R
= 20 V
V
R
= 75 V
I
R
I
R
< 25 nA
< 5 µA
Leakage current – Sperrstrom, T
j
= 125°C
2
) V
R
= 20 V
V
R
= 75 V
I
R
I
R
< 30 µA
< 50 µA
Typ. junction capacitance – Typ. Sperrschichtkapazität
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
C
T
4 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
I
F
= 10 mA über/through I
R
= 10 mA bis/to I
R
= 1 mA
t
rr
< 4 ns
1 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
0.2
1.25
2
±0.1