Datasheet

MBR10100
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Forward voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V]
1
) @ I
F
[A] @ T
j
V
F
[V]
1
) @ I
F
[A] @ T
j
MBR10100 < 0.75 5 25°C < 0.80 10 25°C
Leakage current
Sperrstrom
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
R
= V
RRM
I
R
< 5 µA
1
)
typ. 5 mA
1
)
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität V
R
= 4 V C
j
500 pF
1
)
Typ. thermal resistance junction to case – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse R
thC
1.5 K/W
2,3
)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Per diode − Pro Diode
2 Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)
3 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current vs. temp. of the case )
3
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. des Gehäuses )
3
[°C]
T
C
150100
50
0
10
3
10
2
10
1
10
-1
[µA]
I
R
0
V
RRM
80
[%]
Typ. instantaneous le aka ge current vs. rev. volta ge
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Spe rrspannung
T = 25°C
j
T = 100°C
j
T = 125°C
j
20 40 60
Pea k forward surge current versus number of cycles a t 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwe lle n bei 50 Hz
10
3
10
2
10
1
[A]
î
F
3.14 I
F A V
I
F A V
0 180 360
1 10 10 [n] 10
2 3