Datasheet
KBU12A ... KBU12M
Characteristics Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung T
j
= 25°C I
F
= 12 A V
F
< 1.0 V
1
)
Leakage current – Sperrstrom T
j
= 25°C V
R
= V
RRM
I
R
< 5 µA
1
)
Reverse recovery time – Sperrverzug I
F
= 0.5 A through/über I
R
= 1 A to I
R
= 0.25 A t
rr
typ. 1500 ns
1
)
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität V
R
= 4 V C
j
120 pF
1
)
Thermal resistance junction to ambient (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)
R
thA
< 18 K/W
2
)
Thermal resistance junction to case (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil)
R
thC
< 2.7 K/W
Type
Typ
Recomm. protective resistance
Empf. Schutzwiderstand
R
t
[Ω]
3
)
Admiss. load capacitor at R
t
Zul. Ladekondensator mit R
t
C
L
[µF]
4
)
KBU12A 0.2 20000
KBU12B 0.4 10000
KBU12D 0.8 5000
KBU12G 1.6 2500
KBU12J 2.4 1500
KBU12K 3.2 1000
KBU12M 4.0 800
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
3 R
t
= V
RRM
/ I
FSM
R
t
is the equivalent resistance of any protective element which ensures that I
FSM
is not exceeded
R
t
ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von I
FSM
verhindert
4 C
L
= 5 ms / R
t
If the R
t
C
L
time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, C
L
can be charged completely in a
single half wave of the mains. Hence, I
FSM
occurs as a single pulse only!
Falls die R
t
C
L
Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann C
L
innerhalb einer einzigen
Netzhalbwelle komplett geladen werden. I
FSM
tritt dann nur als Einzelpuls auf!
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
R
t
3)
C
L
4)
~
~
+
_
10
10
10
1
10
3
2
-1
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
270a-(12a-1v)
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur
120
100
80
60
40
20
0
I
FAV
[%]
[°C]
T
C
150100
50
0
Not for new design
Replace by GBU