Datasheet

ESD5Z3V3 ... ESD5Z12
Characteristics (T
j
= 25°C) Kennwerte (T
j
= 25°C)
Type
Typ
Type
Code
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
Stand-off voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at / bei V
WM
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung
I
T
= 1 mA
Max. clamping voltage
Max. Begrenzer-Spannung
at / bei I
PPM
(8/20 µs)
ESD5Z...
C
j
[pF]
V
WM
[V]
I
D
[µA]
V
BR min
[V]
V
C
[V]
I
PPM
[A]
...3V3
ZE
typ. 105
3.3
0.05
5.0
8.4
5
...5V0
05
typ. 80
5.0
0.05
6.2
11.6
5
...6V0
06
typ. 70
6
0.01
6.8
12.4
5
...12
12
typ. 55
12
0.01
14.1
17.0
5
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
R
thA
< 400 K/W
1
)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
)
1 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
8/20µs - pulse waveform
8/20µs - Impulsform
I
PP
P
PP
100
80
60
40
20
0
0 t 20 40 60 [µs]
[%]
t
P
I /2
PPM
P /2
PPM
t = 8 µs
r
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1