Datasheet

1N4001GP ... 1N4007GP, EM513-AQ
Characteristics Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
T
j
= 25°C I
F
= 1 A V
F
< 1.1 V
Leakage current, instantenous
Sperrstrom, Augenblickswert
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
R
= V
RRM
I
R
< 5 µA
< 50 µA
Junction capacitance
Sperrschichtkapzität
V
R
= 4 V C
j
typ. 15 pF
Reverse recovery time
Sperrverzug
I
F
= 0.5 A through/über
I
R
= 1 A to I
R
= 0.25 A
t
rr
typ. 1500 ns
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
R
thA
< 45 K/W
1
)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
R
thL
< 15 K/W
2
)
Dimensions - Maße [mm]
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 In 3 mm distance from case
In 3 mm Abstand vom Gehäuse
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
50a-(1a-1.1v)
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
10
10
1
2
[A]
î
F
1 10 10 [n] 10
2 3