Datasheet

1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
398
13
±0.2
3.5
±0.2
Type
Typ
6.6
±0.2
3.5
4 x 2.54
Ø 0.5
DAN401 / DAP401 (200 mW)
Small Signal Diode Arrays Dioden Sätze mit Allzweckdioden
Version 2004-10-01
Nominal power dissipation 200 mW
Nenn-Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage 80 V
Periodische Spitzensperrspannung
5 Pin-Plastic case 13 x 3.5 x 6.6 [mm]
5 Pin-Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca. 0.6 g
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
"DAP": common anodes / gemeinsame Anoden "DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
DAN401 80 80
DAP401 80 80
Max. average forward rectified current, R-load, T
A
= 25°C
for one diode operation only I
FAV
100 mA
1
)
per diode for simultaneous operation I
FAV
50 mA
1
)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last, T
A
= 25°C
für eine einzelne Diode I
FAV
100 mA
1
)
pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb I
FAV
50 mA
1
)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave T
A
= 25°C I
FSM
500 mA
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle