Datasheet

1
) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten
392
8.5
±0.2
3.5
±0.2
Type
Typ
6.6
±0.2
3.5
2 x 2.54
Ø 0.8
DAN208 / DAP208 (1.2 W)
Silicon-Twin Diodes Silizium-Doppeldioden
Center tap Mittelpunktschaltung
Version 2004-10-01
Nominal power dissipation 1.2 W
Nenn-Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage 150 V
Periodische Spitzensperrspannung
3 Pin-Plastic case 8.5 x 3.5 x 6.6 [mm]
3 Pin-Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca. 0.6 g
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
"DAP": common anodes / gemeinsame Anoden "DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
DAN208 100 150
DAP208 100 150
Max. average forward rectified current, R-load, T
A
= 25°C
for one diode operation only I
FAV
1.0 A
1
)
for simultaneous operation I
FAV
2.0 A
1
)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last, T
A
= 25°C
für eine einzelne Diode I
FAV
1.0 A
1
)
bei gleichzeitigem Betrieb I
FAV
2.0 A
1
)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave T
A
= 25°C I
FSM
10 A
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle