Datasheet

1
) Valid per diode – Gültig pro Diode
2
) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten
403
DAN601 / DAP601 (200 mW)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T
j
– 50…+150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
– 50…+150°C
Characteristics Kennwerte
Forward voltage T
j
= 25°C I
F
= 10 mA V
F
< 1.0 V
1
)
Durchlaßspannung
Leakage current T
j
= 25°C V
R
= 20 V I
R
< 25 nA
Sperrstrom
Reverse recovery time I
F
= 10 mA through/über t
rr
< 4 ns
Sperrverzug I
R
= 10 mA to/auf I
R
= 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air R
thA
< 85 K/W
2
)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft