Datasheet

1
) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten
408
2.6
±0.2
4.5
8 x 2.54
0.25
6.5
±0.2
2
Type / Typ
DA811A/K … DA8110A/K (1.2 W)
Rectifier Arrays Gleichrichter Sätze
Version 2004-10-01
Nominal power dissipation 1.2 W
Nenn-Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage 100...1000 V
Periodische Spitzensperrspannung
9 Pin-Plastic case 23 x 2.6 x 4.5 [mm]
9 Pin-Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca. 0.6 g
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
"DA811A...8110A": com. anodes / gem. Anoden "DA811K...8110K" : com. cathodes / gem. Kathoden
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
DA811A/K 100 120
DA814A/K 400 480
DA8110A/K 1000 1200
Max. average forward rectified current, R-load, T
A
= 25°C
for one diode operation only I
FAV
600 mA
1
)
per diode for simultaneous operation I
FAV
150 mA
1
)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last, T
A
= 25°C
für eine einzelne Diode I
FAV
600 mA
1
)
pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb I
FAV
150 mA
1
)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave T
A
= 25°C I
FSM
30 A
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle