Datasheet

BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000
BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2011-03-04
Dimensions - Maße [mm]
Nominal Current
Nennstrom
3 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
200...2000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ DO-201
Weight approx.
Gewicht ca.
0.8 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
BY251 200 200
BY252 400 400
BY253 600 600
BY254 800 800
BY255 1300 1300
BY1600 1600 1600
BY1800 1800 1800
BY2000 2000 2000
higher voltages see höhere Spannungen siehe
BY4...BY16 4000...16000 4000...16000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
T
A
= 50°C I
FAV
3 A
1
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz I
FRM
20 A
1
)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25°C I
FSM
100/110 A
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms T
A
= 25°C i
2
t 50 A
2
s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+150°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø 1.2
±0.05
Ø 4.5
62.5
±0.5
7.5
±0.1
+0.1
- 0.3