Datasheet

BY4 ... BY16
BY4 ... BY16
High Voltage Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Hochspannungs-Gleichrichterdioden
Version 2012-10-15
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
0.3 A ... 1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
4000...16000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 7.3 x 22 [mm]
Weight approx.
Gewicht ca.
1.9 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in Reel
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Rep. peak reverse volt.
Period. Spitzensperrspg.
V
RRM
[V]
Surge peak reverse volt.
Stoßspitzensperrspg.
V
RSM
[V]
Max. forward current
Dauergrenzstrom
I
FAV
[A]
1
)
Forward volt.
Durchlass-Spg.
V
F
[V]
2
)
BY4 4000 4000 1.0 < 4.0
BY6 6000 6000 1.0 < 6.0
BY8 8000 8000 0.5 < 8.0
BY12 12000 12000 0.5 < 10.0
BY16 16000 16000 0.3 < 15.0
Leakage Current
Sperrstrom
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
< 1 µA
< 25 µA
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25°C I
FSM
30 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
T
A
= 25°C i
2
t 4.5 A
2
s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+150°C
-50...+150°C
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
R
thA
< 25 K/W
1
)
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature T
A
= 50°C at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur T
A
= 50°C gehalten werden
2 At / Bei I
FAV
,T
j
= 25°C
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
2 2
±0.5
7.3
±0.3
Ø 1.2
±0.05
66
+4.0