Datasheet

BCP55 | BCP56
Characteristics Kennwerte
T
j
= 25°C Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
1
)
V
CE
= 2 V I
C
= 5 mA all groups h
FE
25 – –
V
CE
= 2 V I
C
= 150 mA
Group -6
Group -10
Group -16/-AQ
h
FE
40
63
100
–
–
–
250
160
250
V
CE
= 2 V I
C
= 500 mA all groups h
FE
25 – –
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1
)
I
C
= 500 mA I
B
= 50 mA V
CEsat
– – 0.5 V
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung
1
)
I
C
= 500 mA V
CE
= 2 V V
BE
–
– 1 V
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
V
CB
= 30 V E open I
CB0
– – 100 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
V
EB
= 5 V C open I
EB0
– – 100 nA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
V
CE
= 10 V I
C
= 50 mA f = 100 MHz f
T
– 100 MHz –
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
R
thA
93 K/W
2
)
Typical thermal resistance junction to soldering point
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Lötverbindung
R
thS
15 K/W
3
)
Dimensions – Maße [mm]
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Mounted on PCB with 600 mm
2
copper pad at terminal 4 – Montage auf Leiterplatte mit 600 mm
2
Lötpad am Anschluss 4
3 Measured at collector terminal 4 – Gemessen am Kollektor-Anschluss 4
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1