Datasheet

BC846S, BC847S
Characteristics Kennwerte
T
j
= 25°C Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
V
CE
= 5 V I
C
= 2 mA h
FE
200 – 450
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
1
)
I
C
= 10 mA I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA I
B
= 5 mA
V
CEsat
–
–
–
–
250 mV
600 mV
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung
1
)
V
CE
= 5 V I
C
= 2 mA
I
C
= 10 mA
V
BE
580 mV
–
–
–
700 mV
770 mV
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
V
CB
= 30 V E open I
CBO
– – 15 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
V
EB
= 5 V C open I
EBO
– – 100 nA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA, f = 100 MHz f
T
100 MHz – –
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
V
CB
= 10 V, I
E
=i
e
= 0, f = 1 MHz C
CBO
– – 4.5 pF
Typical thermal resistance junction to ambient (per device)
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)
R
thA
420 K/W
2
)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
2
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
2