Datasheet

BC556 ... BC559
BC556 ... BC559
General Purpose PNP Transistors
Universal-PNP-Transistoren
I
C
= - 100 mA
h
FE
~ 120/200/400
T
jmax
= 150°C
V
CEO
= -30 ...-65 V
P
tot
= 500 mW
Version 2023-01-27
TO-92
10D3
SPICE Model & STEP File
1
)
Marking
Type / Typ
HS Code 85412100
Typical Applications
Signal processing
Switching
Amplification
Commercial / industrial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification
1
)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung
Schalten
Verstärken
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation
1
)
Features
General Purpose
Three current gain groups
Compliant to RoHS (w/o exemp.),
REACH, Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Drei Stromverstärkungsklassen
Konform zu RoHS (ohne Ausn.),
REACH, Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
(1) Taped in ammo pack
(Raster 2.54)
(2) On request: in bulk
(Raster 1.27, suffix “BK”)
4000
5000
(1) Gegurtet in Ammo-Pack
(Raster 2.54)
(2) Auf Anfrage: Schüttgut
(Raster 1.27, Suffix “BK”)
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Current gain groups
Stromverstärkungsgruppen
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren
BC556A/B/C | BC557A/B/C
BC558A/B/C | BC559A/B/C
BC546 ... BC549
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
BC556 BC557 BC558/559
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short - V
CES
80 V 50 V 30 V
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open - V
CEO
65 V 45 V 30 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open - V
CBO
80 V 50 V 30 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open - V
EBO
5 V
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
500 mW
3
)
Collector current – Kollektorstrom DC - I
C
100 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - I
CM
200 mA
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom - I
BM
200 mA
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom I
EM
200 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C, unless otherwise specified – T
A
= 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at T
A
at 2 mm distance from case – Gilt wenn Drähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf T
A
gehalten
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
(2)
(1)
1
2
3