Datasheet

BC327 ... BC328
Characteristics Kennwerte
T
j
= 25°C Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
1
)
- V
CE
= 1 V - I
C
= 100 mA Group -16
Group -25
Group -40
h
FE
100
160
250
160
250
400
250
400
630
- I
C
= 300 mA Group -16
Group -25
Group -40
h
FE
60
100
170
130
200
320
–
–
–
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg.
1
)
- I
C
= 500 mA - I
B
= 50 mA - V
CEsat
– – 0.7 V
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung
1
)
- V
CE
= 1 V - I
C
= 300 mA - V
BE
– – 1.2 V
Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Emitter-Reststrom
- V
CE
= 45 V
- V
CE
= 25 V
B-E short
BC327
BC328
- I
CES
– 2 nA 100 nA
- V
CE
= 45 V
- V
CE
= 25 V
B-E short T
j
= 125°C
BC327
BC328
- I
CES
– – 10 µA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 10 mA, f = 50 MHz f
T
– 100 MHz –
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
- V
CB
= 10 V, I
E
=i
e
= 0, f = 1 MHz C
CBO
– 12 pF –
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
R
thA
< 200 K/W
2
)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG