Datasheet

BC327 / BC328
BC327 / BC328
PNP
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
PNP
Version 2006-05-30
Dimensions - Maße [mm]
Power dissipation
Verlustleistung
625 mW
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-92
(10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (T
A
= 25°C) Grenzwerte (T
A
= 25°C)
BC327 BC328
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short - V
CES
50 V 30 V
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open - V
CEO
45 V 25 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open - V
EBO
5 V
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
625 mW
1
)
Collector current – Kollektorstrom (dc) - I
C
800 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - I
CM
1 A
Base current – Basisstrom - I
B
100 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (T
j
= 25°C) Kennwerte (T
j
= 25°C)
Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
2
)
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 100 mA Group -16
Group -25
Group -40
h
FE
h
FE
h
FE
100
160
250
160
250
400
250
400
630
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 300 mA Group -16
Group -25
Group -40
h
FE
h
FE
h
FE
60
100
170
130
200
320
–
–
–
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg.
2
)
- I
C
= 500 mA, - I
B
= 50 mA - V
CEsat
– – 0.7 V
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/
1
16
18
9
2 x 2.54
C
BE