Datasheet

BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06
Characteristics Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
T
j
= 25°C
I
F
= 1 mA
I
F
= 40 mA
V
F
< 380 mV
< 1000 mV
Leakage current
Sperrstrom
T
j
= 25°C V
R
= 30 V I
R
< 200 nA
1
)
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung
T
j
= 25°C I
R
= 10 µA V
BR
> 40 V
1
)
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
V
R
= 0 V, f = 1 MHz C
T
< 5 pF
Reverse recovery time
Sperrverzug
I
F
= 10 mA über/through
I
R
= 10 mA bis/to I
R
= 1 mA
t
rr
< 5 ns
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
R
thA
< 400 K/W
2
)
2
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
120
100
80
20
0
0 150
50 100
T
A
[°C]
60
40
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T = 25°C
j