Datasheet

BAS31, BAS35
Characteristics Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
1
) T
j
= 25°C I
F
=
10 mA
50 mA
100 mA
200 mA
400 mA
V
F
< 750 mV
< 840 mV
< 900 mV
< 1.00 V
< 1.25 V
Leakage current
Sperrstrom
1
)
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
V
R
= 90 V I
R
< 100 nA
< 100 µA
Reverse avalanche breakdown voltage
Sperrspannung im Durchbruch
T
j
= 25°C I
RSM
= 1 mA V
RSM
> 120 V
Junction capacitance – Sperrschichtkapazität V
R
= 0 V, f = 1 MHz C
T
typ. 35 pF
Reverse recovery time
Sperrverzug
I
F
= 10 mA über/through
I
R
= 10 mA bis/to I
R
= 1 mA
t
rr
< 50 ns
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
R
thA
< 400 K/W
2
)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Mounted on 3 mm
2
copper pads per terminal
Montage auf 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
T = 25°C
j
T = 125°C
j
[A]
I
F
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
2
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
2