Datasheet

BAS216WT
Characteristics Kennwerte
Forward voltage
1
)
Durchlass-Spannung
1
)
T
j
= 25°C
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 150 mA
V
F
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
Leakage current
Sperrstrom
T
j
= 25°C V
R
= 75 V I
R
< 1 µA
T
j
= 150°C
V
R
= 25 V
V
R
= 75 V
I
R
< 30 µA
< 50 µA
Max. junction capacitance
Max. Sperrschichtkapazität
V
R
= 0 V, f = 1 MHz C
T
1.5 pF
Reverse recovery time
Sperrverzug
I
F
= 10 mA über/through
I
R
= 10 mA bis/to I
R
= 1 mA
t
rr
< 4 ns
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
R
thA
< 620 K/W
2
)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T = 25°C
j
T = 125°C
j