Datasheet

BAS16
BAS16
Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes
Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2009-01-29
Dimensions - Maße [mm]
1 = A 2 = n.c. /frei 3 = C
Power dissipation – Verlustleistung 310 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
85 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25°C) Grenzwerte (T
A
= 25°C)
BAS16
Power dissipation − Verlustleistung P
tot
310 mW
1
)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) I
FAV
200 mA
1
)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
t
p
≤ 1 s
t
p
≤ 1 µs
I
FSM
I
FSM
1 A
2 A
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung V
RRM
85 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (T
j
= 25°C) Kennwerte (T
j
= 25°C)
Forward voltage
2
)
Durchlass-Spannung
2
)
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 150 mA
V
F
V
F
V
F
V
F
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
Leakage current
Sperrstrom
T
j
= 25°C V
R
= 75 V I
R
< 1 µA
T
j
= 150°C
T
j
= 150°C
V
R
= 25 V
V
R
= 75 V
I
R
I
R
< 30 µA
< 50 µA
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
C
T
2 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
I
F
= 10 mA über/through I
R
= 10 mA bis/to I
R
= 1 mA
T
rr
< 6 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
R
thA
< 400 K/W
1
)
1 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
2.5 max
1.3
±0.1
1.1
0.4
2.9
±0.1
1
2
3
Type
Code
1.9