Datasheet

2SC2983
Characteristics Kennwerte
T
j
= 25°C Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
1
)
V
CE
= 5 V I
C
= 100 mA
h
FE
2SC2983 70 – 240
2SC2983-Q 120 – 390
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg.
2
)
I
C
= 500 mA I
B
= 50 mA
V
CEsat
2SC2983 – – 1.5 V
2SC2983-Q – – 0.5 V
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung
2
)
V
CE
= 5 V I
C
= 500 mA
V
BE
2SC2983 – – 1 V
2SC2983-Q – – 1.5 V
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
V
CB
= 160 V E open
I
CBO
2SC2983 – – 1 µA
V
CB
= 120 V E open 2SC2983-Q – – 1 µA
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
V
EB
= 5 V C open
I
EBO
2SC2983 – – 1 µA
V
EB
= 4 V C open 2SC2983-Q – – 1 µA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
V
CE
= 10 V, I
C
= 100 mA
f
T
2SC2983 – 100 MHz –
V
CE
= 5 V, I
C
= 100 mA 2SC2983-Q – 80 MHz –
Collector output capacitance – Kollektor-Ausgangs-Kapazität
V
CB
= 10 V, I
E
=i
e
= 0, f = 1 MHz
C
OB
2SC2983 – 25 pF –
2SC2983-Q – 6 pF –
Typical thermal resistance junction to case
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
R
thC
2SC2983 8.3 K/W
2
)
2SC2983-Q 12.5 K/W
3
)
Dimensions – Maße [mm]
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Measured at metallic heat flange (collector terminal) – Gemessen an der metallischen Kühlfahne (Kollektor-Anschluss)
3 Mounted on PCB with standard SOT-23 solder pad size per terminal – Montage auf Leiterplatte mit SOT-23 Standard- Lötpads
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]T
C
150100500
Power dissipation versus case temperature )
2
Verlu stleistung in Abh. von d. Gehäusetemp. )
2