Datasheet

2N5551
Characteristics Kennwerte
T
j
= 25°C Min. Typ. Max.
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung
1
)
I
C
= 10 mA I
B
= 1 mA
I
C
= 50 mA I
B
= 5 mA
V
BEsat
– –
1.0 V
1.0 V
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Base-Reststrom
V
CB
= 120 V E open I
CBO
– – 50 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
V
EB
= 4 V C open I
EBO
– – 50 nA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
I
C
= 10 mA, V
CE
= 10 V, f = 100 MHz f
T
100 MHz – 300 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
V
CB
= 10 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz C
CBO
– – 6 pF
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebung
R
thA
< 200 K/W
2
)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]T
A
150100500
Power dissipation versus ambient temperature )
2
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
2