Datasheet

2N5551
2N5551
General Purpose NPN Transistors
Universal-NPN-Transistoren
I
C
= 600 mA
h
FE1
= 80...250
T
jmax
= 150°C
V
CEO
=160 V
P
tot
= 625 mW
Version 2018-01-19
TO-92
(10D3)
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade
1
)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung
1
)
Features
High voltage
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Hohe Spannungsfestigkeit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped in ammo pack
(Raster 2.54)
4000 Gegurtet in Ammo-Pack
(Raster 2.54)
Weight approx. 0.18 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly
conditions
260°C/10s Löt- und
Einbaubedingungen
MSL N/A
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
2N5401
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
2N5551
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open V
CEO
160 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open V
CBO
180 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open V
EBO
6 V
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
625 mW
3
)
Collector current – Kollektorstrom DC I
C
600 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics Kennwerte
T
j
= 25°C Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
4
)
V
CE
= 5 V I
C
= 1 mA
I
C
= 10 mA
I
C
= 50 mA
h
FE
80
80
30
–
–
–
–
250
–
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg.
4
)
I
C
= 10 mA I
B
= 1 mA
I
C
= 50 mA I
B
= 5 mA
V
CEsat
– – 0.15 V
0.20 V
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
4 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
16
18
9
2 x 2.54
E
B C
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S