Datasheet

2N2907A
Characteristics (T
j
= 25°C) Kennwerte (T
j
= 25°C)
Min. Typ. Max.
Base saturation-voltage – Basis-Sättigungsspannung
- I
C
= 150 mA, - I
B
= 15 mA
2
)
- I
C
= 500 mA, - I
B
= 50 mA
2
)
- V
BEsat
0.6 V
–
–
–
1.3 V
2.6 V
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
- I
C
= 0.1 mA, - V
CE
= 10 V
- I
C
= 1 mA, - V
CE
= 10 V
- I
C
= 10 mA, - V
CE
= 10 V
- I
C
= 150 mA, - V
CE
= 10 V
1
)
- I
C
= 500 mA, - V
CE
= 10 V
1
)
h
FE
75
100
100
100
50
–
–
–
–
–
–
–
–
300
–
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- I
C
= 20 mA, - V
CE
= 20 V, f = 100 MHz f
T
250 MHz – –
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
- V
CB
= 10 V, I
E
=i
e
= 0, f = 1 MHz C
CBO
– – 8 pF
Emitter-Base Capaciance – Emitter-Basis-Kapazität
- V
EB
= 0.5 V, I
C
=i
c
= 0, f = 1 MHz C
EBO
– – 30 pF
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebung
R
thA
< 200 K/W
2
)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Valid if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Rated forward current vs. temp. of the terminals
in Abh. v. d. Temp. der TerminalsZul. Richtstrom
120
100
80
60
40
20
0
I
FAV
[%]
[°C]
T
T
150100
50
0