Datasheet

2N2907A
Characteristics Kennwerte
T
j
= 25°C Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
- I
C
= 0.1 mA - V
CE
= 10 V
- I
C
= 1 mA - V
CE
= 10 V
- I
C
= 10 mA - V
CE
= 10 V
- I
C
= 150 mA - V
CE
= 10 V
1
)
- I
C
= 500 mA - V
CE
= 10 V
1
)
h
FE
75
100
100
100
50
–
–
–
–
–
–
–
–
300
–
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- I
C
= 20 mA - V
CE
= 20 V f = 100 MHz f
T
250 MHz – –
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
- V
CB
= 10 V - I
E
=i
e
= 0 f = 1 MHz C
CBO
– – 8 pF
Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität
- V
EB
= 0.5 V - I
C
=i
c
= 0 f = 1 MHz C
EBO
– – 30 pF
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
R
thA
200 K/W
2
)
Dimensions - Maße [mm]
(B) (A)
(A) Raster 2.54
Taped in ammo pack – Gegurtet in Ammo-Pack
(B) Raster 1.27
On request: in bulk, suffix “BK” – Auf Anfrage: Schüttgut, Suffix “BK”
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Valid if leads are kept at T
A
at 2 mm distrance from case – Gültig wenn die Anschlüsse in 2mm vom Geh. auf T
A
gehalten werden
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1