Datasheet

2N2222A
Characteristics Kennwerte
T
j
= 25°C Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
I
C
= 0.1 mA, V
CE
= 10 V
I
C
= 1 mA, V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA, V
CE
= 10 V
I
C
= 150 mA, V
CE
= 10 V
1
)
I
C
= 500 mA, V
CE
= 10 V
1
)
h
FE
35
50
75
100
40
–
–
–
–
–
–
–
–
300
–
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
I
C
= 20 mA, V
CE
= 20 V, f = 100 MHz f
T
250 MHz – –
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
V
CB
= 10 V, I
E
=i
e
= 0, f = 1 MHz C
CBO
– – 8 pF
Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität
V
EB
= 0.5 V, I
C
=i
c
= 0, f = 1 MHz C
EBO
– – 30 pF
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
R
thA
< 200 K/W
2
)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Valid if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1