Datasheet

2N2222A
2N2222A
General Purpose NPN Transistors
Universal-NPN-Transistoren
I
C
= 600 mA
h
FE
~ 200
T
jmax
= 150°C
V
CEO
= 40 V
P
tot
= 625 mW
Version 2017-12-06
TO-92 (10D3)
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade
1
)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung
1
)
Features
General Purpose
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped in ammo pack
(Raster 2.54)
4000
Gegurtet in Ammo-Pack
(Raster 2.54)
Weight approx. 0.18 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
2N2907A
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
2N2222A
Collector-Emitter-voltage - Kollektor-Emitter-Spannung B open V
CEO
75 V
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open V
CBO
40 V
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open V
EBO
6 V
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
625 mW
3
)
Collector current – Kollektorstrom DC I
C
600 mA
Base current – Basisstrom I
B
800 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-65…+150°C
Characteristics Kennwerte
T
j
= 25°C Min. Typ. Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
V
CB
= 60 V I
CBO
– – 10 nA
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
1
)
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
1
)
V
CEsat
V
CEsat
–
–
–
–
0.3 V
1 V
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C, unless otherwise specified – T
A
= 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Valid if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
16
23.5
18
9
2 x 2.54
E B C