Owners Manual

채널 1: 메모리 소켓 B2
채널 2: 메모리 소켓 B3
채널 3: 메모리 소켓 B4
다음 표는 지원되는 구성의 메모리 장착 및 작동 주파수를 보여 줍니다.
표 11. 시스템 메모리
DIMM 유형 장착되는
DIMM/채널
작동 주파수(MT/s) 최대 DIMM 랭크/채널 전압
RDIMM 1 2133
듀얼 랭크 또는 싱글 랭크
1.2V
2 2133
듀얼 랭크 또는 싱글 랭크
1.2V
일반 메모리 모듈 설치 지침
이 시스템은 유연한 메모리 구성을 지원하므로, 시스템은 모든 유효한 칩셋 아키텍처에 따라 구성되고 해당 구
성에서 실행될 수 있습니다. 다음은 메모리 모듈 설치에 권장되는 지침입니다.
• x4 및 x8 DRAM 기반 DIMM은 혼합될 수 있습니다. 자세한 내용은 모드별 지침을 참조하십시오.
• 채널당 최대 2개의 이중 또는 단일 랭크 RDIMM을 장착할 수 있습니다.
• 프로세서가 설치된 경우에만 DIMM 소켓을 채우십시오. 단일 프로세서 시스템의 경우 A1-A8 소켓을 사용
할
수 있습니다. 이중 프로세서 시스템의 경우에는 A1-A8 소켓 및 B1-B4 소켓을 사용할 수 있습니다.
• 흰색 분리 레버가 있는 소켓을 먼저 채운 후 검정색 분리 레버가 있는 소켓을 채웁니다.
• 다른 용량의 메모리 모듈을 함께 사용할 때 용량이 가장 큰 메모리 모듈 소켓을 먼저 장착합니다. 예를 들
어
, 4GB 및 8GB DIMM을 혼합하려면 흰색 분리 레버가 있는 소켓에 8GB DIMM을 설치하고 검정색 분리
레버가 있는 소켓에 4GB DIMM을 장착합니다.
• 듀얼 프로세서 구성에서 각 프로세서에 대한 메모리 구성은 동일해야 합니다. 예를 들어, 프로세서 1에 대
해
소켓 A1을 장착하는 경우 프로세서 2에 대해 소켓 B1을 장착합니다.
• 다른 메모리 장착 규칙을 따르는 경우라면 크기가 서로 다른 메모리 모듈을 섞어 쓸 수 있습니다.(예: 4GB
메모리 모듈과 8GB 메모리 모듈을 섞어 쓸 수 있음).
• 시스템에 세 개 이상의 DIMM 혼합은 지원되지 않습니다.
• 성능을 극대화하려면 프로세서당 2개의 DIMM(채널당 1개의 DIMM)을 동시에 장착합니다.
모드별 지침
4개의 메모리 채널이 각 프로세서에 할당됩니다. 허용되는 구성은 선택한 메모리 모드에 따라 다릅니다.
노트: x4 및 x8 DRAM 기반 DIMM을 함께 사용하면 RAS 기능이 지원됩니다. 그러나 특정 RAS 기능에 대
한 모든 지침이 준수되어야 합니다. x4 DRAM 기반 DIMM은 메모리 최적화(독립 채널) 모드에서
SDDC(Single Device Data Correction)를 유지합니다. x8 DRAM 기반 DIMM의 경우 SDDC가 지원되도
록 하려면 고급 ECC 모드가 필요합니다.
다음 섹션에서는 각 모드별로 추가적인 슬롯 장착 지침을 제공합니다.
메모리 최적화(독립형 채널) 모드
이 모드는 x4 장치 폭을 사용하는 메모리 모듈에 대해서만 SDDC(단일 장치 데이터 정정)를 지원하고, 특정한
방식의 슬롯 채우기를 요구하지 않습니다.
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