Owners Manual
内存通道按如下方式组织:
表. 19: 内存通道
处理器
通道 0 通道 1 通道 2 通道 3
处理器 1 插槽 A1、A5、A9 插槽 A2、A6、A10 插槽 A3、A7、A11 插槽 A4、A8、A12
处理器 2 插槽 B1、B5、B9 插槽 B2、B6、B10 插槽 B3、B7、B11 插槽 B4、B8、B12
下表列出了受支持配置的内存数和操作频率。
表. 20: 内存填充
DIMM 类型 填充的 DIMM 数/通
道
电压
操作频率 (MT/s) 最大 DIMM 列数/通道
RDIMM 1
1.2 V
2400、2133、1866
双列或单列
2 2400、2133、1866
双列或单列
3 1866
双列或单列
LRDIMM 1
1.2 V
2400、2133、1866
四列
2 2400、2133、1866
四列
3 2133、1866
四列
一般内存模块安装原则
注: 不遵循这些原则的内存配置可能会导致系统无法引导、在内存配置过程中停止响应或操作内存减少。
系统支持 Flexible Memory Configuration(灵活内存配置),因此系统能够在任何有效的芯片组结构配置中配置和运行。建议的内存
模块安装原则如下:
● RDIMM 和 LRDIMM 不得混用。
● 基于 x4 和 x8 DRAM 的内存模块可以混用。有关更多信息,请参阅“模式特定原则”部分。
● 每个通道最多可填充三个双列或单列 RDIMM。
● 无论列数是多少,每个通道最多可以填充三个 LRDIMM。
● 如果安装不同速度的内存模块,它们将以最低或较低安装内存模块速度运行(具体取决于系统 DIMM 配置)。
● 仅在安装处理器时填充内存模块插槽。对于单处理器系统,插槽 A1 至 A12 可用。对于双处理器系统,插槽 A1 至 A12 和插槽 B1
至 B12 可用。
● 首先填充所有带白色释放卡舌的插槽,然后填充带黑色释放卡舌的插槽,最后填充带绿色释放卡舌的插槽。
● 当混合使用具有不同容量的内存模块时,先用具有最高容量的内存模块填充插槽。例如,如果要混用 4 GB 和 8 GB 的内存模块,
则将 8 GB 内存模块填充在具有白色释放卡舌的插槽中,将 4 GB 内存模块填充在具有黑色释放卡舌的插槽中。
● 在双处理器配置中,每个处理器的内存配置应该相同。例如,如果填充处理器 1 的插槽 A1,则填充处理器 2 的插槽 B1,以此类
推。
● 如果遵循其他内存填充规则,则不同容量的内存模块可以混用(例如,4 GB 和 8 GB 内存模块可以混用)。
● 不支持在同一个系统中混合使用两个以上的内存模块容量。
● 每个处理器一次填充四个内存模块(每个通道一个 DIMM)以最大化性能。
相关参考资料
模式特定原则 页面上的 54
模式特定原则
系统为每个处理器分配四个内存通道。所容许的配置取决于选取的内存模式。
注: 您可以混用基于 x4 DRAM 和 x8 DRAM 的 DIMM,以支持 RAS 功能。但是,必须遵循特定于 RAS 功能的所有原则。基于 x4
DRAM 的 DIMM 在内存优化(独立通道)模式下保留单设备数据校正 (SDDC)。基于 x8 DRAM 的 DIMM 需要使用高级 ECC 模式
才能获得 SDDC。
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安装和卸下系统组件