Owners Manual

内存通道按如下方式组织
. 19: 内存通道
处理器
通道 0 通道 1 通道 2 通道 3
处理器 1 插槽 A1A5A9 插槽 A2A6A10 插槽 A3A7A11 插槽 A4A8A12
处理器 2 插槽 B1B5B9 插槽 B2B6B10 插槽 B3B7B11 插槽 B4B8B12
下表列出了受支持配置的内存数和操作频率。
. 20: 内存填充
DIMM 类型 填充的 DIMM /
电压
操作频率 (MT/s) 最大 DIMM 列数/通道
RDIMM 1
1.2 V
240021331866
双列或单列
2 240021331866
双列或单列
3 1866
双列或单列
LRDIMM 1
1.2 V
240021331866
四列
2 240021331866
四列
3 21331866
四列
一般内存模块安装原则
: 不遵循这些原则的内存配置可能会导致系统无法引导、在内存配置过程中停止响应或操作内存减少。
系统支持 Flexible Memory Configuration灵活内存配置),因此系统能够在任何有效的芯片组结构配置中配置和运行。建议的内存
模块安装原则如下
RDIMM LRDIMM 不得混用。
基于 x4 x8 DRAM 的内存模块可以混用。有关更多信息请参阅“模式特定原则”部分。
每个通道最多可填充三个双列或单列 RDIMM
无论列数是多少每个通道最多可以填充三个 LRDIMM
如果安装不同速度的内存模块它们将以最低或较低安装内存模块速度运行具体取决于系统 DIMM 配置
仅在安装处理器时填充内存模块插槽。对于单处理器系统插槽 A1 A12 可用。对于双处理器系统插槽 A1 A12 和插槽 B1
B12 可用。
首先填充所有带白色释放卡舌的插槽然后填充带黑色释放卡舌的插槽最后填充带绿色释放卡舌的插槽。
当混合使用具有不同容量的内存模块时先用具有最高容量的内存模块填充插槽。例如如果要混用 4 GB 8 GB 的内存模块
则将 8 GB 内存模块填充在具有白色释放卡舌的插槽中 4 GB 内存模块填充在具有黑色释放卡舌的插槽中。
在双处理器配置中每个处理器的内存配置应该相同。例如如果填充处理器 1 的插槽 A1则填充处理器 2 的插槽 B1以此类
推。
如果遵循其他内存填充规则则不同容量的内存模块可以混用例如4 GB 8 GB 内存模块可以混用
不支持在同一个系统中混合使用两个以上的内存模块容量。
每个处理器一次填充四个内存模块每个通道一个 DIMM以最大化性能。
相关参考资料
模式特定原则 页面上的 54
模式特定原则
系统为每个处理器分配四个内存通道。所容许的配置取决于选取的内存模式。
: 您可以混用基于 x4 DRAM x8 DRAM DIMM以支持 RAS 功能。但是必须遵循特定于 RAS 功能的所有原则。基于 x4
DRAM DIMM 在内存优化独立通道模式下保留单设备数据校正 (SDDC)。基于 x8 DRAM DIMM 需要使用高级 ECC 模式
才能获得 SDDC
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安装和卸下系统组件