Owners Manual

仅在安装处理器时填充内存模块插槽。对于单处理器系统插槽 A1 A12 可用。对于双处理器系统插槽 A1 A12 和插槽 B1
B12 可用。
首先填充所有带白色释放卡舌的插槽然后填充带黑色释放卡舌的插槽最后填充带绿色释放卡舌的插槽。
当混合使用具有不同容量的内存模块时先用具有最高容量的内存模块填充插槽。例如如果要混用 4 GB 8 GB 的内存模块
则将 8 GB 内存模块填充在具有白色释放卡舌的插槽中 4 GB 内存模块填充在具有黑色释放卡舌的插槽中。
在双处理器配置中每个处理器的内存配置应该相同。例如如果填充处理器 1 的插槽 A1则填充处理器 2 的插槽 B1以此类
推。
如果遵循其他内存填充规则则不同容量的内存模块可以混用例如4 GB 8 GB 内存模块可以混用
不支持在同一个系统中混合使用两个以上的内存模块容量。
每个处理器一次填充四个内存模块每个通道一个 DIMM以最大化性能。
相关参考资料
模式特定原则 页面上的 51
模式特定原则
系统为每个处理器分配四个内存通道。所容许的配置取决于选取的内存模式。
: 您可以混用基于 x4 DRAM x8 DRAM DIMM以支持 RAS 功能。但是必须遵循特定于 RAS 功能的所有原则。基于
x4 DRAM DIMM 在内存优化独立通道模式下保留单设备数据校正 (SDDC)。基于 x8 DRAM DIMM 需要使用高级
ECC 模式才能获得 SDDC
内存配置示例
下表显示遵循相应内存原则的一个和两个处理器配置的内存配置示例。
: 下表中的 1R2R 4R 分别表示单列、双列和四列 DIMM
. 21: 内存配置 单个处理器
系统容量
GB
单位
DIMM 大小
GB
单位
DIMM 数量 DIMM 列、组织和频率 DIMM 插槽填充
4 4 1
1Rx82400 MT/s
1Rx82133 MT/s
A1
8 4 2
1Rx82400 MT/s
1Rx82133 MT/s
A1A2
16 4 4
1Rx82400 MT/s
1Rx82133 MT/s
A1A2A3A4
8 2
1Rx82400 MT/s
1Rx82133 MT/s
A1A2
24 4 6
1Rx82400 MT/s
1Rx82133 MT/s
A1A2A3A4A5A6
48 4 12
1Rx81866 MT/s A1A2A3A4A5A6A7A8
A9A10A11A12
8 6
1Rx82400 MT/s
1Rx82133 MT/s
A1A2A3A4A5A6
96 8 12
1Rx81866 MT/s A1A2A3A4A5A6A7A8
A9A10A11A12
16 6
2Rx82400 MT/s A1A2A3A4A5A6
安装和卸下系统组件
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