Owners Manual

DDR4-muistin virrankulutus on 20 prosenttia alhaisempi (1,2 V) kuin DDR3:n, jonka toiminta vaatii 1,5 V:n virran. DDR4 tukee myös uutta
syväsammutustoimintoa, jonka ansiosta isäntälaite voidaan asettaa valmiustilaa päivittämättä muistia. Syväsammutustilan arvioidaan
vähentävän valmiustilan virrankulutusta 40–50 %.
Tietoja DDR4:stä
Katso alta, miten DDR3- ja DDR4-muistimoduulit poikkeavat toisistaan.
Ohjauskolon paikkaero
DDR4- ja DDR3-moduulien ohjauskolot sijaitsevat eri paikassa. Molemmissa muistimoduuleissa on ohjauskolo muistikannan puoleisella
sivulla, mutta kolon poikkeava paikka estää moduulin asentamisen yhteensopimattomaan emolevyyn tai alustaan.
Kuva 1. Ohjauskolon ero
Paksuusero
DDR4-moduulit ovat hieman DDR3-moduuleja paksumpia, mikä mahdollistaa useampien signaalikerrosten käytön.
Kuva 2. Paksuusero
Kaareva reuna
DDR4-moduulien kaareva reuna helpottaa moduulien asennusta ja vähentää piirilevyyn kohdistuvaa voimaa asennuksen aikana.
Kuva 3. Kaareva reuna
Muistivirheet
Järjestelmän muistivirheet ilmaistaan päällä-välähdys-välähdys- tai päällä-välähdys-päällä-virhekoodilla. Merkkivalo ei pala, jos kaikki
muistimoduulit ovat virheellisiä. Jos epäilet muistin olevan virheellinen, kokeile asentaa muistikantaan toimivaksi tietämäsi muistimoduuli.
Joissain kannettavissa tietokoneissa muistikanta saattaa sijaita järjestelmän pohjassa tai näppäimistön alla.
HUOMAUTUS: DDR4-muisti on kuvissa esitetyn, vaihdettavan DIMM-moduulin sijaan kiinteä osa emolevyä.
Tekniikka ja komponentit 13